美国Sandia国家实验室开发的一种高功率紫外发光二极管(LED),采用倒装晶片和到热衬底,可增加亮度和效率。在直流工作方式下,其一个器件能够提供1.3mW的290连续辐射,而另外一个能提供0.4mW的275nm辐射,具有波形系数小,几乎不需要维护和极低功耗的特点,适用于非视线隐蔽通信用的发射器、手持式生物传感器和固态照明等场合。
高功率LED(HP LED)能工作在数百毫安(普通LED的工作电流为几十毫安),有些甚至超过1A的电流,因此能发出很强的光。因为过热是破坏性的,HP LED的效率必须高从而使发热量小,并需要安装在散热片上来散热,否则热量没有散掉的HP LED会在几秒内烧毁。
因为使用一种GaN活性层制作高效发光器件很困难,商用高功率紫外(波长大于290nm)、蓝/绿光发射二极管均使用InGaN活性层。具有双异质结构紫外发光二极管,其外部量子效率以实现7.5%。
可以工作在交流电源的LED目前也在国外研制成功,她在上半个周期发光,下半个周期不发光。
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