OFweek半导体照明网讯 近几年，随着可见光领域的日趋成熟，研究人员把研究重点逐渐向短波长的紫外光转移，紫外光在丝网印刷、聚合物固化、环境保护、白光照明以及军事探测等领域都有重大应用价值。而紫外LED的功耗低、发光响应快、可靠性高、辐射效率高、寿命长、对环境无污染、结构紧凑等诸多优点，使其最有希望取代现有的紫外高压水银灯，成为下一代的紫外光光源。因此，它也成为了近年世界各巨头和研究机构新的研究热点之一。那么目前全球紫外LED核心专利分布情况如何？主要握在谁的手中？

　　专利量：中国最多约占56%

　　根据LED产业专利联盟发布的《紫外LED专利技术分析报告??外延芯片、封装器件篇》显示，从专利区域构成上来看，近200 份有关紫外LED 外延、芯片和器件封装领域的相关专利中，专利数量最多的是中国地区，约占总数的56%；其次是美国地区，台湾和日本，韩国在这一领域也具有相当的优势。而且这些专利中，世界专利的申请占到了约10%，说明对这些专利，申请人都比较重视，相当比例的申请进行了全球专利布局。

　图1专利区域构成分析

　　从申请趋势上看，该报告显示，从1998 年开始，紫外LED的申请量逐年增加，目前处于高速发展阶段。这与这一领域的技术发展趋势是一致的。1998 年，一种InGaN/A1InGaN MQW 结构的紫外LED 芯片在美国Sandia 国家实验室由Mary H. Crawford 课题组研制出来。该芯片辐射峰值波长为386 nm，辐射功率大于1 mW，开启了新一代短波长紫外光领域的大门。此后众多研究者致力于此，在外延层质量、p 型掺杂、欧姆接触、光学设计等关键工艺水平方面都取得了很大的提高。2014 和2015 年申请量下降的原因，应该是由于很多申请还是处于未公开阶段。

　图2专利申请总体趋势